Gas khususberbeza daripada umumgas perindustriankerana ia mempunyai kegunaan khusus dan digunakan dalam bidang tertentu. Ia mempunyai keperluan khusus untuk ketulenan, kandungan bendasing, komposisi dan sifat fizikal dan kimia. Berbanding dengan gas perindustrian, gas khusus lebih pelbagai jenisnya tetapi mempunyai jumlah pengeluaran dan jualan yang lebih kecil.

Yanggas campurandangas penentukuran piawaiGas campuran biasanya dibahagikan kepada gas campuran umum dan gas campuran elektronik.

Gas campuran umum termasuk:gas campuran laser, gas campuran pengesanan instrumen, gas campuran kimpalan, gas campuran pemeliharaan, gas campuran sumber cahaya elektrik, gas campuran penyelidikan perubatan dan biologi, gas campuran pembasmian kuman dan pensterilan, gas campuran penggera instrumen, gas campuran tekanan tinggi dan udara gred sifar.

Campuran gas elektronik termasuk campuran gas epitaksi, campuran gas pemendapan wap kimia, campuran gas pendopan, campuran gas etsa dan campuran gas elektronik lain. Campuran gas ini memainkan peranan yang sangat penting dalam industri semikonduktor dan mikroelektronik dan digunakan secara meluas dalam pembuatan litar bersepadu berskala besar (LSI) dan litar bersepadu berskala sangat besar (VLSI), serta dalam pengeluaran peranti semikonduktor.

5 Jenis gas campuran elektronik adalah yang paling biasa digunakan

Doping gas campuran

Dalam pembuatan peranti semikonduktor dan litar bersepadu, bendasing tertentu dimasukkan ke dalam bahan semikonduktor untuk memberikan kekonduksian dan kerintangan yang diingini, membolehkan pembuatan perintang, simpang PN, lapisan tertimbus dan bahan lain. Gas yang digunakan dalam proses pendopan dipanggil gas dopan. Gas-gas ini terutamanya termasuk arsina, fosfin, fosforus trifluorida, fosforus pentafluorida, arsenik trifluorida, arsenik pentafluorida,boron trifluorida, dan diborana. Sumber dopan biasanya dicampurkan dengan gas pembawa (seperti argon dan nitrogen) dalam kabinet sumber. Gas campuran kemudiannya disuntik secara berterusan ke dalam relau resapan dan beredar di sekitar wafer, memendapkan dopan pada permukaan wafer. Dopan kemudiannya bertindak balas dengan silikon untuk membentuk logam dopan yang berhijrah ke dalam silikon.

Campuran gas pertumbuhan epitaksial

Pertumbuhan epitaksial ialah proses memendapkan dan menumbuhkan bahan kristal tunggal ke atas permukaan substrat. Dalam industri semikonduktor, gas yang digunakan untuk menumbuhkan satu atau lebih lapisan bahan menggunakan pemendapan wap kimia (CVD) pada substrat yang dipilih dengan teliti dipanggil gas epitaksial. Gas epitaksial silikon biasa termasuk dihidrogen diklorosilana, silikon tetraklorida dan silana. Ia digunakan terutamanya untuk pemendapan silikon epitaksial, pemendapan silikon polikristalin, pemendapan filem silikon oksida, pemendapan filem silikon nitrida dan pemendapan filem silikon amorfus untuk sel suria dan peranti fotosensitif lain.

Gas implantasi ion

Dalam pembuatan peranti semikonduktor dan litar bersepadu, gas yang digunakan dalam proses implantasi ion secara kolektif dirujuk sebagai gas implantasi ion. Bendasing terion (seperti ion boron, fosforus dan arsenik) dipercepatkan ke tahap tenaga yang tinggi sebelum diimplan ke dalam substrat. Teknologi implantasi ion paling banyak digunakan untuk mengawal voltan ambang. Jumlah bendasing yang diimplan boleh ditentukan dengan mengukur arus pancaran ion. Gas implantasi ion biasanya merangkumi gas fosforus, arsenik dan boron.

Mengukir gas campuran

Pengukiran ialah proses mengukir permukaan yang diproses (seperti filem logam, filem silikon oksida, dsb.) pada substrat yang tidak ditutupi oleh fotoresist, sambil mengekalkan kawasan yang ditutupi oleh fotoresist, untuk mendapatkan corak pengimejan yang diperlukan pada permukaan substrat.

Campuran Gas Pemendapan Wap Kimia

Pemendapan wap kimia (CVD) menggunakan sebatian meruap untuk mendapan satu bahan atau sebatian melalui tindak balas kimia fasa wap. Ini adalah kaedah pembentukan filem yang menggunakan tindak balas kimia fasa wap. Gas CVD yang digunakan berbeza-beza bergantung pada jenis filem yang terbentuk.