Gas khususberbeza dengan umumgas industrikerana ia mempunyai kegunaan khusus dan digunakan dalam bidang tertentu. Mereka mempunyai keperluan khusus untuk ketulenan, kandungan kekotoran, komposisi, dan sifat fizikal dan kimia. Berbanding dengan gas industri, gas khusus adalah lebih pelbagai dalam pelbagai tetapi mempunyai jumlah pengeluaran dan jualan yang lebih kecil.

Thegas bercampurdangas penentukuran piawaiyang biasa kami gunakan ialah komponen penting gas khusus. Gas bercampur biasanya dibahagikan kepada gas bercampur am dan gas bercampur elektronik.

Gas campuran am termasuk:gas campuran laser, gas bercampur pengesanan instrumen, gas bercampur kimpalan, gas bercampur awet, gas bercampur sumber cahaya elektrik, gas bercampur penyelidikan perubatan dan biologi, gas bercampur pembasmian kuman dan pensterilan, gas bercampur penggera instrumen, gas bercampur tekanan tinggi dan udara gred sifar.

Campuran gas elektronik termasuk campuran gas epitaxial, campuran gas pemendapan wap kimia, campuran gas doping, campuran gas etsa dan campuran gas elektronik lain. Campuran gas ini memainkan peranan yang amat diperlukan dalam industri semikonduktor dan mikroelektronik dan digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar (LSI) dan pembuatan litar bersepadu (VLSI) berskala sangat besar, serta dalam pengeluaran peranti semikonduktor.

5 Jenis gas campuran elektronik adalah yang paling biasa digunakan

Doping gas bercampur

Dalam pembuatan peranti semikonduktor dan litar bersepadu, kekotoran tertentu dimasukkan ke dalam bahan semikonduktor untuk memberikan kekonduksian dan kerintangan yang dikehendaki, membolehkan pembuatan perintang, persimpangan PN, lapisan tertimbus dan bahan lain. Gas yang digunakan dalam proses doping dipanggil gas dopan. Gas-gas ini terutamanya termasuk arsin, fosfin, fosforus trifluorida, fosforus pentafluorida, arsenik trifluorida, arsenik pentafluorida,boron trifluorida, dan diborane. Sumber dopan biasanya bercampur dengan gas pembawa (seperti argon dan nitrogen) dalam kabinet sumber. Gas campuran kemudiannya disuntik secara berterusan ke dalam relau resapan dan beredar di sekeliling wafer, mendepositkan dopan pada permukaan wafer. Dopan kemudian bertindak balas dengan silikon untuk membentuk logam dopan yang berhijrah ke dalam silikon.

Campuran gas pertumbuhan epitaxial

Pertumbuhan epitaxial ialah proses mendepositkan dan mengembangkan satu bahan kristal ke permukaan substrat. Dalam industri semikonduktor, gas yang digunakan untuk mengembangkan satu atau lebih lapisan bahan menggunakan pemendapan wap kimia (CVD) pada substrat yang dipilih dengan teliti dipanggil gas epitaxial. Gas epitaxial silikon biasa termasuk dihidrogen dichlorosilane, silikon tetraklorida, dan silane. Ia digunakan terutamanya untuk pemendapan silikon epitaxial, pemendapan silikon polihabluran, pemendapan filem silikon oksida, pemendapan filem silikon nitrida, dan pemendapan filem silikon amorfus untuk sel suria dan peranti fotosensitif lain.

Gas implantasi ion

Dalam peranti semikonduktor dan pembuatan litar bersepadu, gas yang digunakan dalam proses implantasi ion secara kolektif dirujuk sebagai gas implantasi ion. Kekotoran terion (seperti boron, fosforus, dan ion arsenik) dipercepatkan ke tahap tenaga yang tinggi sebelum ditanam ke dalam substrat. Teknologi implantasi ion paling banyak digunakan untuk mengawal voltan ambang. Jumlah kekotoran yang ditanam boleh ditentukan dengan mengukur arus pancaran ion. Gas implantasi ion biasanya termasuk fosforus, arsenik, dan gas boron.

Mencuci gas bercampur

Etsa ialah proses menggores permukaan yang diproses (seperti filem logam, filem silikon oksida, dsb.) pada substrat yang tidak bertopeng oleh photoresist, sambil mengekalkan kawasan bertopeng oleh photoresist, untuk mendapatkan corak pengimejan yang diperlukan pada permukaan substrat.

Campuran Gas Pemendapan Wap Kimia

Pemendapan wap kimia (CVD) menggunakan sebatian meruap untuk mendepositkan satu bahan atau sebatian melalui tindak balas kimia fasa wap. Ini adalah kaedah pembentukan filem yang menggunakan tindak balas kimia fasa wap. Gas CVD yang digunakan berbeza-beza bergantung pada jenis filem yang terbentuk.